雙束聚焦離子束FIB
近期很多客户朋侪咨询博仕檢測工程師，關于FIB切片阐發的制样品的問題，這篇文章分享给大師，但愿能帮到大師。聚焦離子束技能（Focused Ion eam，FIB）是操纵電透镜将離子束聚焦成很是小尺寸的離子束轰击質料概况，實現質料的剥離、沉积、注入、切割和改性。跟着纳米科技的成长，纳米標准制造業成长敏捷，而纳米加工就是纳米制造業的焦點部門，纳米加工的代表性法子就是聚焦離子束。比年来成长起来的聚焦離子束技能（FIB）操纵高强度聚焦離子束對質料举行纳米加工，共同扫描電镜（SEM）等高倍数電子显微镜及時察看，成了纳米级阐發、制造的重要法子。今朝已遍及利用于半导體集成電路點窜、離子注入、切割和妨碍阐發等。
聚焦離子束技能（FIB）道理：
聚焦離子束(FIB)體系操纵镓離子源和雙透镜聚焦柱，用强烈的聚焦離子束轰击標本概况，以举行紧密質料去除、沉积和高辨别率成像。简略来讲是聚合了FIB處置样品和SEM察看成相的功效。此中FIB是将Ga元素離子化成Ga+，然後操纵電場加快，再操纵静電透镜聚焦将高能量的Ga+打到指定點從而視訊連線直播,到达處置样品的功效。
FIB-SEM切片測試進程
辦事范畴：光電質料，半导體質料，镀膜質料， 金属質料，矿石，纳米質料，高份子質料，锂電質料，数据存储，生物質料，通信行業等。
聚焦離子束-扫描電子显微镜雙束體系 FIB-SEM利用
聚焦離子束-扫描電镜雙束體系重要用于概况二次電子描摹察看、能谱面扫描、样品截面察看、细小样品標識表记標帜和TEM超薄片样品的制备。
1.FIB切片截面阐發 FIB-SEM測試
FIB技能可以切确地在器件的特定微區举行截面观測，構成高辨别的清楚圖象，而且對所加工的質料没有限定，同時可以邊刻蚀邊操纵SEM及時察看样品，截面阐發是FIB最多見的利用。這類刻蚀断面定位精度极高，在全部制样進程中样品所受應力很小，建造的断面是以也具备很好的完备性。這類利用在微電子范畴详细應用場所重要有：定點观測芯片的内部布局；失效样品阐發废弃的详细位置并定位至外延层；阐發光發射定位桑葚乾,热門的截面布局缺點。
FIB切片截面阐發進程：
FIB切片截面阐發進程
FIB制备TEM样品進程：
1. Platinum 房屋貸款,deposition：用電子束或離子束辅助沉积的法子在待制备TEM試样的概况蒸镀Pt庇護覆层，以防止终极的TEM試样遭到Ga離子束致使的辐照毁伤；
2. Bulk-out：在带制备的TEM試样雙侧用较大的腰椎貼,例子束流快速挖取“V”型凹坑；
3. U-cut：在步调（2）中切掏出的TEM薄片上切除薄片的两頭和底部；
4. Lift-out：用显微操控针将TEM試样從块状基體移出，試样與针之間用蒸镀Pt方法粘结；
5. Mount on Cu half-grid：用显微操控针将移出的TEM薄片轉移并粘接在预先筹备好的TEM支架上；
6. Final milling：用较小利錢束流對TEM薄片進一步减薄，直至厚度约约100 nm。
FIB制备TEM薄片進程
博仕FIB-SEM檢測實例分享：
（1）電镀品截面镀层布局阐發 ：
客户拜托博仕檢測對客诉异样電镀產物FIB-SEM阐發，FIB切割電镀品内部布局圖及SEM背散射(BSE)圖
FIB切片SEM察看镀层内部布局圖
d． SEM BSE低倍总體圖片； e．SEM BSE缺點局部放大圖； f．SEM BSE缺點局部放大圖 备注：對晶粒尺寸察看的辨别率最小可达30nm。
（2）微米级缺點样品FIB-SEM截面測試
（3）PCB電路断裂位置，操纵SEM察看铜箔金相。
FIB切割PCB電路截面阐發
（4）FIB切割锡球截面阐發
FIB切割锡球截面阐發
（5）FIB切割晶粒阐發
頁:
[1]